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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905630-025.A00G 8GB

总分
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

总分
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Kingston 9905630-025.A00G 8GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
Kingston 9905630-025.A00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 87
    左右 -263% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    87 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    3,155.6 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    417 left arrow 2504

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Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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内存RAM
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内存RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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内存RAM
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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