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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
20.0
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
15.9
8.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3713
2271
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Comparações de RAM
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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