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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
39
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
39
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2636
2782
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparações de RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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