RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
39
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
2782
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link