RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparar
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
11.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
16.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3825
2913
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link