RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3825
2913
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link