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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2349
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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