RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
10.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2349
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link