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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
19200
Por volta de 1.22 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
23400
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2761
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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