RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2761
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link