RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2394
2384
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link