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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2394
2384
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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