RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
42
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2579
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link