RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
42
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2797
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link