RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3819
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link