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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
42
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3648
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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