RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
52
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2625
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link