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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
2346
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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