RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
2154
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link