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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3552
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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