RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Comparar
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
89
Por volta de -256% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
6.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
89
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
13.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1518
3377
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link