RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
40
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2209
3632
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Relatar um erro
×
Bug description
Source link