RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2209
3310
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link