RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de 52% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
60
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2282
2359
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparações de RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link