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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
17.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
4122
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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