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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
24
Velocità di lettura, GB/s
14.9
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
4122
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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