RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
4122
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link