RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
44
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2193
3182
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link