RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
52
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6.9
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
2,027.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
45
Velocidade de leitura, GB/s
4,837.1
6.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,027.0
6.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
794
1499
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link