RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
52
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
2,027.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
6.9
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
1499
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link