RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,135.0
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
5,021.4
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,135.0
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
3460
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Relatar um erro
×
Bug description
Source link