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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
19.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,135.0
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
5,021.4
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,135.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
3399
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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