RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
23.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,135.0
19.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
5,021.4
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,135.0
19.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
4276
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link