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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,135.0
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
51
Por volta de -34% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
38
Velocidade de leitura, GB/s
5,021.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,135.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
2283
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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