RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
3044
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link