RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
104
Por volta de -131% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6.9
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
45
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
6.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1499
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link