Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    45 left arrow 104
    Около -131% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    6.9 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    6.3 left arrow 2,404.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 45
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 6.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 6.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 1499
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения