RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
3498
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905458-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link