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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
3485
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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