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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
86
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
86
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1658
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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