RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
86
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
86
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1658
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link