RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2620
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link