STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Note globale
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 14.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 63
    Autour de -152% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.7 left arrow 1,447.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 5300
    Autour de 3.62 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    63 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,231.0 left arrow 14.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,447.3 left arrow 10.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    478 left arrow 2620
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons