STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 14.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 63
    Wokół strony -152% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.7 left arrow 1,447.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 5300
    Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    63 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,231.0 left arrow 14.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,447.3 left arrow 10.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    478 left arrow 2620
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania