RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
57
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
57
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2213
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link