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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3473
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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