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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3473
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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