RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3473
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link