RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2846
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link