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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs INTENSO 5641152 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
INTENSO 5641152 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO 5641152 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2215
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
INTENSO 5641152 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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