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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3908
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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